晶體生長(cháng)過(guò)程的德國DIAS紅外測溫儀應用
規格：DG42N, DS42N, DG40N, DS40N, DG44, DS44N
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性能標簽：
晶體生長(cháng)過(guò)程的德國DIAS紅外測溫儀應用
產(chǎn)品詳細描述
晶體生長(cháng)過(guò)程的德國DIAS紅外測溫儀應用
單晶硅爐常使用型號
1、二線(xiàn)制紅外測溫儀DG42N(350~1800°C)
2、二線(xiàn)制紅外測溫儀DS42N(600~2500°C)
3、二線(xiàn)制紅外測溫儀DG40N(350~1800°C)
4、二線(xiàn)制紅外測溫儀DS40N(600~2500°C)
5、四線(xiàn)制紅外測溫儀DG44N(350~1800°C)
6、四線(xiàn)制紅外測溫儀DS44N(600~2500°C)
多晶硅爐常使用雙色紅外測溫儀
1、低價(jià)格雙色紅外測溫儀DSR44N(700~1800°C)
2、中價(jià)格雙色紅外測溫儀DSR54N(700~1800°C)
3、中價(jià)格雙色紅外測溫儀DSR56N(700~1800°C)
4、高精度雙色紅外測溫儀DSR10N(700~1800°C)
測量空間有限時(shí)，推薦使用光纖紅外測溫儀
1、二線(xiàn)制紅外測溫儀DSF40N(600~1800°C)
2、二線(xiàn)制紅外測溫儀DGF40N(350~1800°C)
3、四線(xiàn)制紅外測溫儀DSF44N(600~1800°C)
4、四線(xiàn)制紅外測溫儀DGF44N(350~1800°C)
簡(jiǎn)述
太陽(yáng)能行業(yè)的晶圓生產(chǎn)需要用到單晶硅或多晶硅，是在所謂的晶體生長(cháng)爐，即單晶硅爐或多晶硅爐拉晶生長(cháng)的。
這種從爐內生長(cháng)的單晶或多晶硅，是要從結晶爐(即單晶硅爐或多晶硅爐)熔液慢慢冷卻生長(cháng)出來(lái)的。測量這種過(guò)程的結晶熔液的溫度很重要，同樣控制這個(gè)結晶過(guò)程的加熱元件的溫度也很重要。這兩種溫度必須要協(xié)調好，才能確保最優(yōu)的晶體生長(cháng)過(guò)程。
太陽(yáng)能單晶爐可使用的DIAS紅外測溫儀有10、40、44、54、56這些系列，都可以用來(lái)測量晶體生長(cháng)的熔化溫度，性?xún)r(jià)比較高的40、42、44系列型號有DS42N、DG42N或 DS40N、DG40N、DS44N、DG44N，均為短波紅外測溫儀，測溫范圍800 ~ 1800°C 或 800~2500 °C。
多晶硅爐也可使用雙色紅外測溫儀DSR44N、DSR54N、DSR56N、DSR10N。其中44、54、56、10系列可以通過(guò)總線(xiàn)連接到現有控制系統。
在測量空間有限時(shí)，推薦使用光纖電纜和小光纖探頭的光纖紅外測溫儀；低價(jià)格型號有DSF40N、DGF40N、DSF44N、DGF44N ，最小的光纖探頭的光圈為12mm，測溫范圍可以選600~1800°C。另外，可以選擇90°鏡像附件或彎曲的光纖電纜。測量光斑僅僅幾個(gè)毫米。
不管是哪一種測量任務(wù)，都可以選擇好合適的紅外測溫儀參數，獲得最優(yōu)的效果，觀(guān)測和控制獲得最佳的晶體生長(cháng)。
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